casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD17C51P RTG
Número de pieza del fabricante | BZD17C51P RTG |
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Número de parte futuro | FT-BZD17C51P RTG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C51P RTG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 51V |
Tolerancia | ±5.88% |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 39V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sub SMA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C51P RTG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD17C51P RTG-FT |
BZD17C180P M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD17C180P MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD17C180P MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD17C180P MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD17C180P RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD17C180P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD17C180P RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD17C180P RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD17C18P M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD17C18P MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel