casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD17C200P MQG
Número de pieza del fabricante | BZD17C200P MQG |
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Número de parte futuro | FT-BZD17C200P MQG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C200P MQG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 200V |
Tolerancia | ±6% |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 750 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sub SMA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C200P MQG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD17C200P MQG-FT |
BZD27C91PHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C91PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C91PHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD17C180P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C130P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C130P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C130P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C150P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C150P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C160P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel