casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD17C200P-E3-08
Número de pieza del fabricante | BZD17C200P-E3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZD17C200P-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C200P-E3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 200V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C200P-E3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD17C200P-E3-08-FT |
BZD27C5V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C39P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C24P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B6V2P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C160P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2C35U484C6N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
EP4CE22E22C6
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
EP3SL340H1152C4
Intel
LFE2M50SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation