casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD17C180P RQG
Número de pieza del fabricante | BZD17C180P RQG |
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Número de parte futuro | FT-BZD17C180P RQG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C180P RQG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 180V |
Tolerancia | ±6.38% |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 450 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 130V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sub SMA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C180P RQG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD17C180P RQG-FT |
UDZS36B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS3V6B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS3V9B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS4V3B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS4V7B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS5V1B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS5V6B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS6V2B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS6V8B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS7V5B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel