casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD17C11P RQG
Número de pieza del fabricante | BZD17C11P RQG |
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Número de parte futuro | FT-BZD17C11P RQG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C11P RQG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolerancia | ±5.45% |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 4µA @ 8.2V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sub SMA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C11P RQG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD17C11P RQG-FT |
UDZS24B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS27B R9G
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS27B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS30B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS33B R9G
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS33B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS36B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS3V6B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS3V9B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS4V3B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel