casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYWF29-100HE3/45
Número de pieza del fabricante | BYWF29-100HE3/45 |
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Número de parte futuro | FT-BYWF29-100HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYWF29-100HE3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYWF29-100HE3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYWF29-100HE3/45-FT |
BAS216,135
NXP USA Inc.
BAT254,115
NXP USA Inc.
BAS316/ZLF
NXP USA Inc.
BAS316/ZLX
NXP USA Inc.
BAS321/ZLF
NXP USA Inc.
BAS321/ZLX
NXP USA Inc.
STTH810FP
STMicroelectronics
BYC8X-600,127
WeEn Semiconductors
BYC8X-600P,127
WeEn Semiconductors
BYT79X-600,127
WeEn Semiconductors
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel