casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYW82-TAP
Número de pieza del fabricante | BYW82-TAP |
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Número de parte futuro | FT-BYW82-TAP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYW82-TAP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 3A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 7.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | SOD-64, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-64 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW82-TAP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYW82-TAP-FT |
LL4150GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4151-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4151-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4151-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4154-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4154-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4154-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4154-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL42-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL42-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel