casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYW29ED-200,118
Número de pieza del fabricante | BYW29ED-200,118 |
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Número de parte futuro | FT-BYW29ED-200,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYW29ED-200,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW29ED-200,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYW29ED-200,118-FT |
FESF16BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel