casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYW29E-100,127
Número de pieza del fabricante | BYW29E-100,127 |
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Número de parte futuro | FT-BYW29E-100,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYW29E-100,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW29E-100,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYW29E-100,127-FT |
CD0603-B0140L
Bourns Inc.
CD0603-B0140R
Bourns Inc.
CD0603-B0230
Bourns Inc.
CD0603-B0240
Bourns Inc.
CD0603-S0180
Bourns Inc.
CD0603-S0180R
Bourns Inc.
CD214A-R12000
Bourns Inc.
CD214A-B160LF
Bourns Inc.
CD214A-F1400
Bourns Inc.
CD214A-F1600
Bourns Inc.
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel