casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / BYVF32-50HE3/45
Número de pieza del fabricante | BYVF32-50HE3/45 |
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Número de parte futuro | FT-BYVF32-50HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYVF32-50HE3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 18A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYVF32-50HE3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYVF32-50HE3/45-FT |
V10150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10170C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20200G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20M100M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20M120M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel