casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / BYVF32-100-E3/45
Número de pieza del fabricante | BYVF32-100-E3/45 |
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Número de parte futuro | FT-BYVF32-100-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYVF32-100-E3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 18A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYVF32-100-E3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYVF32-100-E3/45-FT |
GSD2004S-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel