casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / BYVB32-200HE3/81
Número de pieza del fabricante | BYVB32-200HE3/81 |
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Número de parte futuro | FT-BYVB32-200HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYVB32-200HE3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 18A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYVB32-200HE3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYVB32-200HE3/81-FT |
VS-MBRB4045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
UHB20FCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
10CTQ150S
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel