casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYV28-600-TAP
Número de pieza del fabricante | BYV28-600-TAP |
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Número de parte futuro | FT-BYV28-600-TAP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV28-600-TAP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.35V @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 210ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | SOD-64, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-64 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV28-600-TAP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYV28-600-TAP-FT |
LS101A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101B-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101C-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103C-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4150GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel