casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYT79-500,127
Número de pieza del fabricante | BYT79-500,127 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BYT79-500,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYT79-500,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 500V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 14A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.38V @ 30A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 60ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 500V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYT79-500,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYT79-500,127-FT |
CD214B-F350
Bourns Inc.
CD214B-F3600
Bourns Inc.
CD1206-S01575
Bourns Inc.
CD1005-B00340
Bourns Inc.
CD1005-B0130
Bourns Inc.
CD1005-B0130L
Bourns Inc.
CD1005-B0140L
Bourns Inc.
CD1005-B0140R
Bourns Inc.
CD1005-B0230
Bourns Inc.
CD1005-B0240
Bourns Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel