casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYS10-45HE3_A/I
Número de pieza del fabricante | BYS10-45HE3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-BYS10-45HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYS10-45HE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 45V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 45V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYS10-45HE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYS10-45HE3_A/I-FT |
VS-2EJH01-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH02-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel