casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYR16W-1200Q
Número de pieza del fabricante | BYR16W-1200Q |
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Número de parte futuro | FT-BYR16W-1200Q |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYR16W-1200Q Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 16A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.7V @ 16A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 105ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYR16W-1200Q Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYR16W-1200Q-FT |
APD260VGTR-G1
Diodes Incorporated
APD340VG-E1
Diodes Incorporated
APD340VG-G1
Diodes Incorporated
APD340VGTR-E1
Diodes Incorporated
APD340VGTR-G1
Diodes Incorporated
APD360VP-E1
Diodes Incorporated
APD360VPTR-E1
Diodes Incorporated
APD360VPTR-G1
Diodes Incorporated
APD360VRTR-G1
Diodes Incorporated
APT30SCD65B
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel