casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / BYQ30E-200,127
Número de pieza del fabricante | BYQ30E-200,127 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BYQ30E-200,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYQ30E-200,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 16A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 16A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 30µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYQ30E-200,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYQ30E-200,127-FT |
RB215T-90
Rohm Semiconductor
RB215T-40
Rohm Semiconductor
RB215T-60
Rohm Semiconductor
RB225T-60
Rohm Semiconductor
RB085T-40
Rohm Semiconductor
RB085T-90
Rohm Semiconductor
RF2001T3D
Rohm Semiconductor
RFN10T2D
Rohm Semiconductor
RF1601T2D
Rohm Semiconductor
RB088T150FH
Rohm Semiconductor
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel