casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BYM600A170DN2HOSA1
Número de pieza del fabricante | BYM600A170DN2HOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BYM600A170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYM600A170DN2HOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Single |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | - |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | - |
Potencia - max | 1400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | - |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM600A170DN2HOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYM600A170DN2HOSA1-FT |
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7N
Intel
5SEE9F45I2N
Intel
5SGXMA5N2F45I2LN
Intel
LFE3-150EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E1F29E1HG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel
EP20K100EQI208-3
Intel
EPF10K30AQI208-3
Intel