casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BYM300B170DN2HOSA1
Número de pieza del fabricante | BYM300B170DN2HOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BYM300B170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYM300B170DN2HOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | 2 Independent |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 650V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 40A |
Potencia - max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 25A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 40µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM300B170DN2HOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYM300B170DN2HOSA1-FT |
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel