casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BYM300B170DN2HOSA1
Número de pieza del fabricante | BYM300B170DN2HOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BYM300B170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYM300B170DN2HOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | 2 Independent |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 650V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 40A |
Potencia - max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 25A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 40µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM300B170DN2HOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYM300B170DN2HOSA1-FT |
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K3F40I3LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
5SGXMA4H3F35I4
Intel
XC5VLX85T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29C4N
Intel
EP1S40F780I6
Intel