casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYM13-40-E3/97
Número de pieza del fabricante | BYM13-40-E3/97 |
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Número de parte futuro | FT-BYM13-40-E3/97 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYM13-40-E3/97 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 40V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 500mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacitancia a Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AB, MELF |
Paquete del dispositivo del proveedor | GL41 (DO-213AB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM13-40-E3/97 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYM13-40-E3/97-FT |
BAS16-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAL99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAL99-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAL99-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAL99-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAL99-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAL99-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel