casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYM13-30-E3/96
Número de pieza del fabricante | BYM13-30-E3/96 |
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Número de parte futuro | FT-BYM13-30-E3/96 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYM13-30-E3/96 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 500mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AB, MELF |
Paquete del dispositivo del proveedor | GL41 (DO-213AB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM13-30-E3/96 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYM13-30-E3/96-FT |
BAL99-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel