casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYM10-200HE3/97
Número de pieza del fabricante | BYM10-200HE3/97 |
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Número de parte futuro | FT-BYM10-200HE3/97 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
BYM10-200HE3/97 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AB, MELF (Glass) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-213AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM10-200HE3/97 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYM10-200HE3/97-FT |
BYM11-600-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-50-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41B-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41D-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
TMBAT49FILM
STMicroelectronics
TMBYV10-60FILM
STMicroelectronics
GL41A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-100-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-1000-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation