casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYG20GHE3_A/I
Número de pieza del fabricante | BYG20GHE3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-BYG20GHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG20GHE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.4V @ 1.5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG20GHE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYG20GHE3_A/I-FT |
RS1MSP1-7
Diodes Incorporated
FFSB20120A-F085
ON Semiconductor
MBR5200VPC-E1
Diodes Incorporated
CDBU0140R-HF
Comchip Technology
CDBU70
Comchip Technology
CDSUR4148-HF
Comchip Technology
FFSPF0865A
ON Semiconductor
NGTD8R65F2WP
ON Semiconductor
FFSD1065B-F085
ON Semiconductor
NGTD5R65F2WP
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel