casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BY229B-400HE3/81
Número de pieza del fabricante | BY229B-400HE3/81 |
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Número de parte futuro | FT-BY229B-400HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BY229B-400HE3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.85V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 145ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BY229B-400HE3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BY229B-400HE3/81-FT |
VS-18TQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel