casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BY229B-400HE3/45
Número de pieza del fabricante | BY229B-400HE3/45 |
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Número de parte futuro | FT-BY229B-400HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BY229B-400HE3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.85V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 145ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BY229B-400HE3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BY229B-400HE3/45-FT |
VS-20ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel