casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUZ80A
Número de pieza del fabricante | BUZ80A |
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Número de parte futuro | FT-BUZ80A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BUZ80A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1350pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 100W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUZ80A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUZ80A-FT |
BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP324L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP372 E6327
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BSP372L6327HTSA1
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BSP373 E6327
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BSP373L6327HTSA1
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BSP373NH6327XTSA1
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BSP603S2LHUMA1
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BSP613P
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BSP613PH6327XTSA1
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XC3S400-5FTG256C
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XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
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LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation