casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUZ32
Número de pieza del fabricante | BUZ32 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BUZ32 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BUZ32 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 530pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 75W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUZ32 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUZ32-FT |
IPP147N12N3GXKSA1
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IPP075N15N3GXKSA1
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M2GL050-1FG484
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ICE5LP4K-CM36ITR50
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AGL250V5-VQG100I
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5SGXMA4H3F35I3LN
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XC5VLX50-2FF324I
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XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
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EP1C20F324C8N
Intel