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Infineon Technologies BUZ30AHXKSA1

Name: BUZ30AHXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BUZ30AHXKSA1
Price: 1.928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (168 reviews)

Número de pieza de MFG: BUZ30AHXKSA1

Cantidad disponible: 62230 Piezas

Precio de referencia: USD 1.928

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BUZ30AHXKSA1.pdf

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BUZ30AHXKSA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BUZ30AHXKSA1
Número de parte futuro	FT-BUZ30AHXKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
BUZ30AHXKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	21A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1900pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUZ30AHXKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BUZ30AHXKSA1-FT

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