casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUZ30AH3045AATMA1
Número de pieza del fabricante | BUZ30AH3045AATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BUZ30AH3045AATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BUZ30AH3045AATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1900pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUZ30AH3045AATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUZ30AH3045AATMA1-FT |
2SK4066-DL-E
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64-2092PBF
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