casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUZ30A E3045A
Número de pieza del fabricante | BUZ30A E3045A |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BUZ30A E3045A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BUZ30A E3045A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1900pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUZ30A E3045A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUZ30A E3045A-FT |
2SK4065-DL-E
ON Semiconductor
2SK4066-DL-E
ON Semiconductor
2SK4177-DL-E
ON Semiconductor
2SK4177-E
ON Semiconductor
64-2092PBF
Infineon Technologies
94-2110
Infineon Technologies
94-2113
Infineon Technologies
94-2310
Infineon Technologies
94-2386
Infineon Technologies
94-2989
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel