casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK7E8R3-40E,127
Número de pieza del fabricante | BUK7E8R3-40E,127 |
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Número de parte futuro | FT-BUK7E8R3-40E,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK7E8R3-40E,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1730pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 96W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7E8R3-40E,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK7E8R3-40E,127-FT |
5HN01SS-TL-H
ON Semiconductor
BST72A,112
NXP USA Inc.
PHW80NQ10T,127
NXP USA Inc.
PSMN004-55W,127
NXP USA Inc.
PSMN009-100W,127
NXP USA Inc.
PSMN020-150W,127
NXP USA Inc.
PSMN040-200W,127
NXP USA Inc.
BUK7905-40AIE,127
Nexperia USA Inc.
BUK7905-40AI,127
Nexperia USA Inc.
BUK7905-40ATE,127
Nexperia USA Inc.
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel