casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK766R0-60E,118
Número de pieza del fabricante | BUK766R0-60E,118 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BUK766R0-60E,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK766R0-60E,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4520pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 182W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK766R0-60E,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK766R0-60E,118-FT |
BUK964R1-40E,118
Nexperia USA Inc.
PHB191NQ06LT,118
Nexperia USA Inc.
PSMN013-100BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN017-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN1R1-40BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN2R2-40BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-100BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN8R7-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN9R5-100BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMNR90-30BL,118
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel