casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK7609-75A,118
Número de pieza del fabricante | BUK7609-75A,118 |
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Número de parte futuro | FT-BUK7609-75A,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK7609-75A,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6760pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 230W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7609-75A,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK7609-75A,118-FT |
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel