casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK755R4-100E,127
Número de pieza del fabricante | BUK755R4-100E,127 |
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Número de parte futuro | FT-BUK755R4-100E,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK755R4-100E,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11810pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 349W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK755R4-100E,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK755R4-100E,127-FT |
PHP18NQ10T,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R9-40PLQ
Nexperia USA Inc.
PSMN2R6-60PSQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-100PSQ
Nexperia USA Inc.
PSMN015-60PS,127
Nexperia USA Inc.
PHP191NQ06LT,127
Nexperia USA Inc.
PSMN6R5-80PS,127
Nexperia USA Inc.
PHP20NQ20T,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R8-100PSEQ
Nexperia USA Inc.
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel