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Infineon Technologies BTS282ZE3180AATMA2
- Número de pieza de MFG
- BTS282ZE3180AATMA2
- Cantidad disponible
- 66090 Piezas
- Precio de referencia
- USD 2.38084
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Infineon Technologies
- Breve descripción
- TEMPFET® MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- BTS282ZE3180AATMA2.pdf
BTS282ZE3180AATMA2 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | BTS282ZE3180AATMA2 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-BTS282ZE3180AATMA2 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | TEMPFET® |
| BTS282ZE3180AATMA2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 49V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4800pF @ 25V |
| Característica FET | Temperature Sensing Diode |
| Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-7-1 |
| Paquete / Caja | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BTS282ZE3180AATMA2 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | BTS282ZE3180AATMA2-FT |
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