casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / BSZ215CHXTMA1
Número de pieza del fabricante | BSZ215CHXTMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSZ215CHXTMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
BSZ215CHXTMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
Característica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.1A, 3.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 110µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 419pF @ 10V |
Potencia - max | 2.5W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ215CHXTMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSZ215CHXTMA1-FT |
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