casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSZ0994NSATMA1
Número de pieza del fabricante | BSZ0994NSATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSZ0994NSATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ0994NSATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 890pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8-25 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ0994NSATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSZ0994NSATMA1-FT |
APTM120DA56T1G
Microsemi Corporation
APTM120DA68T1G
Microsemi Corporation
APTM120SK15G
Microsemi Corporation
APTM120SK29TG
Microsemi Corporation
APTM120SK56T1G
Microsemi Corporation
APTM120SK68T1G
Microsemi Corporation
APTM120U10DAG
Microsemi Corporation
APTM120UM95FAG
Microsemi Corporation
APTM20DAM10TG
Microsemi Corporation
APTM20SKM05G
Microsemi Corporation
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
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XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation