casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSZ058N03LSGATMA1
Número de pieza del fabricante | BSZ058N03LSGATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSZ058N03LSGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ058N03LSGATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Ta), 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2400pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.1W (Ta), 45W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ058N03LSGATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSZ058N03LSGATMA1-FT |
IRF7811WTR
Infineon Technologies
IRF7811WTRPBF
Infineon Technologies
IRF7815PBF
Infineon Technologies
IRF7815TRPBF
Infineon Technologies
IRF7820PBF
Infineon Technologies
IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
IRF7821GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7821PBF
Infineon Technologies
IRF7821TR
Infineon Technologies
IRF7822PBF
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel