casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSZ042N04NSGATMA1
Número de pieza del fabricante | BSZ042N04NSGATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSZ042N04NSGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ042N04NSGATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 36µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3700pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ042N04NSGATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSZ042N04NSGATMA1-FT |
SPP21N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP24N60C3HKSA1
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SPP42N03S2L13
Infineon Technologies
SPP47N10
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SPP47N10L
Infineon Technologies
SPP70N10L
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
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