casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSZ040N04LSGATMA1
Número de pieza del fabricante | BSZ040N04LSGATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSZ040N04LSGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ040N04LSGATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Ta), 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 36µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5100pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ040N04LSGATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSZ040N04LSGATMA1-FT |
IRF7811WGTRPBF
Infineon Technologies
IRF7811WTR
Infineon Technologies
IRF7811WTRPBF
Infineon Technologies
IRF7815PBF
Infineon Technologies
IRF7815TRPBF
Infineon Technologies
IRF7820PBF
Infineon Technologies
IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
IRF7821GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7821PBF
Infineon Technologies
IRF7821TR
Infineon Technologies