casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS84P-E6327
Número de pieza del fabricante | BSS84P-E6327 |
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Número de parte futuro | FT-BSS84P-E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSS84P-E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 170mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 19pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS84P-E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSS84P-E6327-FT |
FDN358P
ON Semiconductor
NDS332P
ON Semiconductor
FDN359BN
ON Semiconductor
FDN86501LZ
ON Semiconductor
FDN304P
ON Semiconductor
SI2305B-TP
Micro Commercial Co
SI2306-TP
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SI2312-TP
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SI2321-TP
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SI2333-TP
Micro Commercial Co