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Infineon Technologies BSS209PWH6327XTSA1

Name: BSS209PWH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS209PWH6327XTSA1
Price: 0.057664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (736 reviews)

Número de pieza de MFG: BSS209PWH6327XTSA1

Cantidad disponible: 79260 Piezas

Precio de referencia: USD 0.057664

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSS209PWH6327XTSA1.pdf

BSS209PWH6327XTSA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSS209PWH6327XTSA1
Número de parte futuro	FT-BSS209PWH6327XTSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSS209PWH6327XTSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	630mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 3.5µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	1.3nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	115pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	300mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT323-3
Paquete / Caja	SC-70, SOT-323
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS209PWH6327XTSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSS209PWH6327XTSA1-FT

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