casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSP322PH6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BSP322PH6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSP322PH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP322PH6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 380µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 372pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT223-4 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP322PH6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSP322PH6327XTSA1-FT |
IPU80R2K8CEAKMA1
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