casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSP298H6327XUSA1
Número de pieza del fabricante | BSP298H6327XUSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSP298H6327XUSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP298H6327XUSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 400V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 500mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT223-4 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP298H6327XUSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSP298H6327XUSA1-FT |
IRFHM8334TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM8337TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM8342TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM9331TR2PBF
Infineon Technologies
IRFHM9331TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM9391TRPBF
Infineon Technologies
IRLH6224TR2PBF
Infineon Technologies
IRLH6224TRPBF
Infineon Technologies
IRLH7134TR2PBF
Infineon Technologies
IRLHM620TRPBF
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel