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Infineon Technologies BSO330N02KGFUMA1

Número de pieza de MFG
BSO330N02KGFUMA1
Cantidad disponible
69870 Piezas
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSO330N02KGFUMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 730pF @ 10V
Potencia - max 1.4W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor PG-DSO-8
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO330N02KGFUMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSO330N02KGFUMA1-FT

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