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Infineon Technologies BSO211PNTMA1

Name: BSO211PNTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSO211PNTMA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (83 reviews)

Número de pieza de MFG: BSO211PNTMA1

Cantidad disponible: 26740 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSO211PNTMA1.pdf

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BSO211PNTMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSO211PNTMA1
Número de parte futuro	FT-BSO211PNTMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSO211PNTMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	23.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	920pF @ 15V
Potencia - max	2W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor	P-DSO-8
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO211PNTMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSO211PNTMA1-FT

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