casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSO119N03S
Número de pieza del fabricante | BSO119N03S |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSO119N03S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSO119N03S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.9 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 25µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1730pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.56W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-DSO-8 |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO119N03S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSO119N03S-FT |
SPP100N08S2-07
Infineon Technologies
SPP100N08S2L-07
Infineon Technologies
SPP10N10
Infineon Technologies
SPP10N10L
Infineon Technologies
SPP11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP11N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP11N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPP11N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP11N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation