casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM75GAR120DN2HOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM75GAR120DN2HOSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSM75GAR120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM75GAR120DN2HOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Single |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 30A |
Potencia - max | 235W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 400µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 1nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM75GAR120DN2HOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM75GAR120DN2HOSA1-FT |
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation
APTGT75DH60T1G
Microsemi Corporation