casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Three Phase Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 50A |
Potencia - max | 350W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM50GD120DN2E3226BOSA1-FT |
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FG484C
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C8ES
Intel
5SGXEA5N2F40C2N
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188ARC240-2
Intel