casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Three Phase Inverter |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 50A |
Potencia - max | 350W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM50GD120DN2E3226BOSA1-FT |
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation
LFEC6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-4FGG320C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1N
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
5AGXFB7H4F35I5
Intel