casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM50GD120DN2BOSA1
Número de pieza del fabricante | BSM50GD120DN2BOSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSM50GD120DN2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSM50GD120DN2BOSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Full Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 72A |
Potencia - max | 350W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GD120DN2BOSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSM50GD120DN2BOSA1-FT |
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA5K2F40C2N
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC6SLX9-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation